用于晶圆级封装应用的等离子体表面处理

随着电子器件的持续微型化以及性能要求日益严苛，制造商正转向等离子体处理技术，以支持先进的晶圆级封装（WLP）应用。

 

WLP的等离子体清洗

等离子清洗传统上用于去除晶圆级器件制造过程中或上游组装过程中产生的污染物。无论哪种情况，对产品进行清洗以去除氟、氧化物或金属等污染物，都能显著提高集成电路的良率、可靠性和性能。

   

利用等离子处理进行WLP光刻胶脱胶

在显影、处理和光刻胶剥离后，有时会残留少量光刻胶。等离子处理可在后续后处理前，均匀去除晶圆表面上的微量光刻胶残留物。

   

等离子体处理在 WLP 中的剥离与蚀刻

干法等离子体处理是一种高效的批量剥离和蚀刻材料的方法，适用于光刻胶、氧化物、氮化物和介电层。可实现每分钟超过1微米的蚀刻速率，均匀度高于95%。您可在晶圆级应用、MEMS制造及硬盘驱动器加工中执行剥离和蚀刻工艺。

   

晶圆表面预处理与等离子体表面活化

等离子体处理可去除污染物和氧化层，从而提高可靠性和键合良率。等离子体还能使晶圆钝化层产生微观粗糙度，增强钝化层与基板之间的附着力。

   

用于增强BCB和UBM附着力的等离子体表面处理

聚合物（如苯并环丁烯（BCB）和凸点下金属层（UBM））作为再分布层的介电层。等离子体处理会改变晶圆原始钝化层的表面形态和润湿性，从而增强粘合性。

   

利用等离子体工艺进行 WLP 介电层图案化

形成再分配层的典型方法包括使用标准光刻技术对介电再分配材料进行图案化。等离子体处理是介电层图案化的可行替代方案，可避免使用典型的湿法工艺。

   

利用等离子体对先进 WLP 进行过孔清洗

为堆叠芯片应用而在晶圆上形成的微小过孔，通常会残留过孔形成工艺中的残留物。经过优化的等离子体配置可在不损伤晶圆表面前提下有效清洁过孔。

   

利用等离子体表面处理提升凸点附着力

等离子体清洗可提升凸点附着力并增强凸点剪切强度。对晶圆表面进行等离子体清洗能改善凸点附着力，且经证实可显著提高凸点剪切强度。凸点材料包括不同配方的焊料和金柱。

 

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