诺信 MARCH 的等离子限制环可提高蚀刻速率并改善晶圆处理的处理均匀性

美国加利福尼亚州康科德 - 2016 年 9 月 21 日 - 诺信 MARCH，诺信公司（纳斯达克股票代码：NDSN），等离子清洁技术的全球领导者，推出了用于晶圆处理和晶圆扇出应用的等离子限制环。 该环将等离子体直接集中并聚焦在晶圆上方，以加速蚀刻过程，提供均匀的等离子体覆盖，并将等离子体隔离在晶圆本身上，而不是其周围或下方的区域。 由于该环增加了蚀刻速率能力，而无需增加电极温度或给卡盘增加偏压，因此可以保持较低的工艺温度。

使用限制环，晶圆区域的上下电极之间存在自由导电路径，但胶黏剂胶带和晶圆框架区域没有导电路径。 该环采用绝缘、非导电材料制成，而铝到铝的等离子传导路径则被限制在晶圆区域内。 环与胶黏剂胶带和晶圆框架之间有 2 毫米的间隙。 由于晶圆和胶黏剂胶带的底部没有等离子产生或等离子，因此底切和分层被最小化，并且晶圆表面没有溅射或胶黏剂胶带沉积。

“我们的概念与大多数前端系统之间的最大区别在于间距和限制方法，”诺信 MARCH 营销总监 Jonathan Doan 解释道。 “在我们的方法中，我们尽量减少环边缘和下电极之间的间隙，从而减小扩散面积。 这个间隙大约为 2 毫米或更小，因此您只能获得二次等离子体，而不是像在其他系统上那样获得一次等离子体。 整个腔室体积减小到仅位于晶圆上方的区域。”

等离子限制环可与诺信 MARCH 的 SPHERE™ 系列等离子系统一起使用。 等离子应用包括除渣、灰化/光刻胶/聚合物剥离、电介质蚀刻、晶圆凸块、有机污染物去除和晶圆去应力。

如需了解更多信息，请联系诺信 MARCH [email protected] 或致电 +1.925.827.1240。